記憶體龍頭三星預告，明年高頻寬記憶體（HBM）占全球DRAM晶圓產能比重將逼近30%，占比較目前約20%大增，產能排擠效應下，傳統DRAM供應恐進一步吃緊。

法人預期，國際大廠持續擴大HBM產能占比，資源一路向AI靠攏，排擠DDR4、DDR3及利基型記憶體等傳統DRAM產能，使得供應更顯緊繃，對南亞科、華邦等主攻傳統DRAM的台灣記憶體廠有利，接單量能大增、報價更具支撐。

綜合外電報導，三星執行副總裁Kim Taewoo受訪表示，HBM與傳統DRAM使用同一批晶圓產能，在HBM產出增加之下，可能壓縮傳統DRAM供應，預期明年HBM占DRAM業者晶圓總產能比重將由目前約20%升至近30%，顯示AI記憶體排擠傳統產品的情況恐持續加劇。

研調機構集邦科技（TrendForce）統計，三星今年第2季DRAM營收市占率達39.4%，居業界龍頭。

因應AI強勁需求，三星、SK海力士、美光等三大國際廠商均全力衝刺HBM，並積極推出新品，三星方面，今年2月已量產出貨HBM4，同時擴充相關產能。

國內DRAM業者都對後市展望正向。南亞科總經理李培瑛先前於法說會表示，AI相關記憶體需求快速增加，排擠PC、手機、車用及消費性產品供給，缺貨情況預計還會持續數季，下半年DRAM售價仍有向上空間，該公司產能已滿載。

南亞科並積極與客戶建立長期供貨關係，李培瑛說，長約已涵蓋約五成產能，後續將持續推動短約轉為長約，配合客戶需求安排生產；新廠第一階段規劃於2028年達月投片3萬片，在新產能開出前，既有產線仍是供貨主力。

華邦總經理陳沛銘認為，AI需求持續推升記憶體用量，2027年市場供需將比今年更緊，華邦已啟動高雄廠模組B擴建計畫，規劃明年1月動工、2029年底量產，擴產效益仍需時間發酵。

法人認為，依照當下市場供需情勢來看，記憶體客戶正加強掌握中長期料源，採購考量從價格延伸至交期與供貨保障，透過長約提前安排產能的需求升溫，主要原因就是AI應用繼續擴張，傳統產品供應能否跟上需求，取決於原廠資源配置與新產能開出速度，供給缺口短期難以迅速填補。

對台廠來說，這波商機除來自報價走揚，也包括客戶尋求替代供應商的需求，若能維持穩定出貨、配合產品驗證及長期供貨，將有機會提高客戶採購比重，讓短期轉單延伸為長期合作，增添後續營運成長動能。